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n型SiC的Ni基欧姆接触中C空位作用的实验证明
通过在Si面P型4H—SiC外延层上使用P^+离子注入来形成n阱.Ti和Ni依次淀积在有源区的表面,金属化退火后的XRD分析结果表明Ni2Si是主要......
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